UNIWERSYTET MorskI w gdyni

                  Katedra Elektroniki Morskiej

Publikacje

1999 - 2000

1. Górecki K, Zarębski J., Stepowicz W.J.: Napięcia przebicia tranzystora Darlingtona mocy. VIII Sympozjum „Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki” PPEE’99, Wisła, 1999, ss. 473-478.

2. Zarębski J., Górecki K., Bieniecki S.: Nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy obniżającej z tranzystorem Darlingtona mocy. IV Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE’99, Kiekrz-Poznań 1999, ss. 365-367.

3. Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.

4. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: The Hybrid Electrothermal Macromodel of the Power Darlington Transistor for SPICE. 4th International Scientific and Technical Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems (UEES'99), St. Petersburg (Rosja) 1999, Vol. 2, pp. 751-756.

5. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: Electrothermal Breakdown Modes In The Darlington Power Transistor. Prod. of the European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD’99), Stresa (Włochy), 1999, Vol. 1, pp. 567-570.

6. Zarębski J., Górecki K.: Problem doboru wartości prądu pomiarowego przy wyznaczaniu rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy metodą Rubina. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. 6, z. 3, 1999, ss. 205-218.

7. Zarębski J., Górecki K.: Modelowanie tranzystora Darlingtona mocy z uwzględnieniem oddziaływań elektrotermicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 45, z.3-4, 1999, ss. 455-472.

8. Zarębski J., Górecki K.: Dwupunktowa metoda pomiaru rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. 6, z. 4, 1999, ss.431-444.

9. Górecki K., Zarębski J.: Problem stabilności i zbieżności wybranych algorytmów splotowych do analizy termicznej układów elektronicznych. V Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE’2000, Poznań-Kiekrz 2000, t. 2, ss. 383-386.

10. Zarębski J., Bieniecki S., Górecki K.: Analiza półmostkowej przetwornicy rezonansowej za pomocą programu SPICE. XXIV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO’2000, Ustroń, 2000, pp. 301-304.

11. Zarębski J., Górecki K.: Parameters Estimation of the D.C. Electrothermal Model of the Bipolar Transistor. 7-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2000, Gdynia, 2000, pp. 351-356.

12. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: SPICE-Aided Electrothermal Modelling of Power BJTs. 5th International Seminar on Power Semiconductors ISPS’2000, Praga (Czechy) 2000, pp. 181-185.

13. Górecki K., Zarębski J.: Układ do automatycznego pomiaru nieizotermicznych charakterystyk statycznych elementów półprzewodnikowych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.1, 2000, ss. 45-57.

14. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: Influence of Thermal Effects on Performance of the Bipolar Darlington Power Transistor Switch. XVI Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits EPNC’2000, Kraków, pp. 147-149.

15. Zarębski J., Górecki K.: Application of the Impulse-Switched Method to Measure the Thermal Resistance of Semiconductor Devices. XII Polish National ConferenceApplication of Microprocessors in Automatic Control and Measurements, Warszawa, 2000, pp. 121-126.

16. Zarębski J., Górecki K.: SPICE Aided Estimation of the Power BJT Model Parameters. IEEE International Power Electronics Congress CIEP’2000, Acapulco, 2000, pp. 258-262.

17. Zarębski J., Górecki K.: Algorytm estymacji wartości parametrów elektrotermicznego stałoprądowego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 3, 2000, ss. 299-320.

18. Stepowicz W.J., Zarębski J., Górecki K.: Wpływ wybranych czynników na rezystancję termiczną elementów półprzewodnikowych. IX Sympozjum „Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki” PPEE’2000, Wisła, 2000, ss. 54-59.

19. Zarębski J., Górecki K.: Badanie nieizotermicznych stanów przejściowych przetwornicy obniżającej z tranzystorem Darlingtona. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, ss. 10-13.

20. Górecki K., Zarębski J.: Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, ss. 13-16.

21. Zarębski J., Górecki K.: Metody stałoprądowe pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w strukturze tranzystora Darlingtona. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.2, 2000, ss. 203-217.

22. Górecki K., Zarębski J.: Badanie właściwości wybranych algorytmów splotowych do analizy termicznej układów elektronicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 4, 2000, ss. 633-650.

23. Zarębski J., Górecki K.: Wielkosygnałowy dynamiczny makromodel tranzystora Darlingtona mocy do analizy elektrotermicznych stanów przejściowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 4, 2000, ss. 615-632.

24. Górecki K., Zarębski J.: Impulsowe metody pomiaru parametrów termicznych tranzystora Darlingtona mocy. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.3, 2000, ss. 287-302.

Strona główna

Kontakt

Publikacje

Prace badawcze

Prezentacje

Dla studentów

Oferta współpracy

Modele regulatorów

Krzysztof Górecki

Program SKOKI

Rozwój kadry